４００第十一章　现代化学应用讲座　水浴氮吹仪腐蚀铬则可用酸性硫酸高铈、碱性高锰酸钾、碱性铁氰化钾或用锌接触硫酸 腐蚀。 　　８．去胶 　　经选择性腐蚀后，在被蚀刻的基片表面留下了所需刻制的图案线条，此时作 为保护膜的抗蚀剂已完成了使命，需用适当的溶剂将其除去，或是用其它化学或 机械的方法将残留的抗蚀剂膜除去。这一步即称为去胶。常用的去胶方法有： ①氧化法去胶，即使用浓硫酸、浓硝酸等强氧化剂对光刻胶进行氧化，使胶膜破 坏脱落或炭化，然后除去；或高温加热并通氧氧化，使胶膜氧化分解为水和ＣＯ ２ 等挥发性物质而除去。②等离子体去胶，用高频放电得到气体等离子体，强烈 地促使抗蚀剂分解氧化成挥发性氧化物而被除去。这是目前最为先进，大有发 展前途的去胶方法。③紫外光分解去胶，光刻胶膜在空

气或氧气流中，用强紫 外光照射，即可分解为挥发性气体而被除去。④去胶剂去胶，去胶剂多为有机 溶剂，可使光刻胶层溶胀或溶解而脱落。 　　经过上述八个步骤，整个光刻过程就完成了。在微电子器件和集成电路块 的制作工艺中，根据实际需要往往需要进行多次光刻。每次光刻的对象、要求可 能不同，但光刻的原理方法和上述各步骤则基本相同的。 二、光致抗蚀剂的简介 　　光致抗蚀剂，又称光刻胶，是光刻工艺中必不可少的一种关键材料。依赖光 致抗蚀剂的选择性保护，才能实现选择性的蚀刻。所以现代光刻技术的发展是 以新型光致抗蚀剂的开发和发展为前提的。 　　光刻胶顾名思义是一种胶体溶液。它的主要成分就是作为光致抗蚀剂起作 用的一种感光性高分子的化合物，亦称为感光性树脂。再加上适当的溶剂，就可 配制胶体溶液。改变溶液中感光性树脂的浓度，就可调节胶液的稠度和粘度，以 符合操作工艺的需要。此

外，在光刻胶中一般还加有少量的添加成分，主要是增 感剂、稳定剂等，以改善光刻胶的使用性能。 　　感光性树脂的分子结构中含有一定比例的感光性基团，在特定波长的光照 射下，这些对光敏感的部位会发生化学反应，或产生交联，或裂解。依照它们受 光照后所引发的光化学反应的不同类型，可将光刻胶分为正性光刻胶和负性光 刻胶两大类。现分别介绍如下： 　　１．负性光致抗蚀剂 　　又称负性光刻胶、负性胶或负胶。这是最早实现工业规模生产的，也是目前 用得最广泛，用量最大的一类光刻胶。这类光刻胶在曝光前是以线型高分子状 态存在的，能溶于一定的溶剂，一旦受光照射后，产生了交联，变成不溶性的，因 而称为光固化型的。以这种胶作为光致抗蚀剂进行光刻所得到的